HAL SYSCFG 配置函数。更多...

函数
void	HAL_SYSCFG_CCMSRAMErase (void)
	启动硬件 CCMSRAM 擦除操作。
void	HAL_SYSCFG_EnableMemorySwappingBank (void)
	启用内部 FLASH 存储体交换。
void	HAL_SYSCFG_DisableMemorySwappingBank (void)
	禁用内部 FLASH 存储体交换。
void	HAL_SYSCFG_VREFBUF_VoltageScalingConfig (uint32_t VoltageScaling)
	配置内部电压参考缓冲器的电压比例。
void	HAL_SYSCFG_VREFBUF_HighImpedanceConfig (uint32_t Mode)
	配置内部电压参考缓冲器的高阻抗模式。
void	HAL_SYSCFG_VREFBUF_TrimmingConfig (uint32_t TrimmingValue)
	调谐内部电压参考缓冲器 (VREFBUF)。
HAL_StatusTypeDef	HAL_SYSCFG_EnableVREFBUF (void)
	启用内部电压参考缓冲器 (VREFBUF)。
void	HAL_SYSCFG_DisableVREFBUF (void)
	禁用内部电压参考缓冲器 (VREFBUF)。
void	HAL_SYSCFG_EnableIOSwitchBooster (void)
	启用 I/O 模拟开关电压升压器。
void	HAL_SYSCFG_DisableIOSwitchBooster (void)
	禁用 I/O 模拟开关电压升压器。
void	HAL_SYSCFG_EnableIOSwitchVDD (void)
	通过 VDD 启用 I/O 模拟开关电压。
void	HAL_SYSCFG_DisableIOSwitchVDD (void)
	通过 VDD 禁用 I/O 模拟开关电压。
void	HAL_SYSCFG_CCMSRAM_WriteProtectionEnable (uint32_t Page)
	CCMSRAM 页面写保护启用。

详细描述

HAL SYSCFG 配置函数。

 ===============================================================================
                      ##### HAL SYSCFG 配置函数 #####
 ===============================================================================
    [..]  本节提供允许用户进行以下操作的函数：
      (+) 启动硬件 CCMSRAM 擦除操作
      (+) 启用/禁用内部 FLASH 存储体交换
      (+) 配置电压参考缓冲器
      (+) 启用/禁用电压参考缓冲器
      (+) 启用/禁用 I/O 模拟开关电压升压器

函数文档

void HAL_SYSCFG_CCMSRAM_WriteProtectionEnable ( uint32_t Page )

CCMSRAM 页面写保护启用。

参数:

Page,: 该参数是一个长32位值，可以是 CCM 写保护的值之一

注意:: 写保护只能通过系统复位禁用

返回值:

无

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第 774 行。

引用 assert_param 和 IS_SYSCFG_CCMSRAMWRP_PAGE。

void HAL_SYSCFG_CCMSRAMErase ( void )

启动硬件 CCMSRAM 擦除操作。

注意:: 只要 CCMSRAM 未擦除，CCMER 位将保持置位。该位在 CCMSRAM 擦除操作结束时自动复位。

返回值:

无

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第 603 行。

void HAL_SYSCFG_DisableIOSwitchBooster ( void )

禁用 I/O 模拟开关电压升压器。

返回值:

无

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第 744 行。

void HAL_SYSCFG_DisableIOSwitchVDD ( void )

通过 VDD 禁用 I/O 模拟开关电压。

返回值:

无

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第 764 行。

void HAL_SYSCFG_DisableMemorySwappingBank ( void )

禁用内部 FLASH 存储体交换。

注意:: 此函数仅适用于 STM32G4xx 器件。; 默认状态：Flash Bank1 映射到 0x08000000（并别名 @0x00000000），Flash Bank2 映射到 0x08040000（并别名 0x00040000）

返回值:

无

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第 637 行。

void HAL_SYSCFG_DisableVREFBUF ( void )

禁用内部电压参考缓冲器 (VREFBUF)。

返回值:

无

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第 723 行。

void HAL_SYSCFG_EnableIOSwitchBooster ( void )

启用 I/O 模拟开关电压升压器。

返回值:

无

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第 734 行。

void HAL_SYSCFG_EnableIOSwitchVDD ( void )

通过 VDD 启用 I/O 模拟开关电压。

返回值:

无

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第 754 行。

void HAL_SYSCFG_EnableMemorySwappingBank ( void )

启用内部 FLASH 存储体交换。

注意:: 此函数仅适用于 STM32G4xx 器件。; Flash Bank2 映射到 0x08000000（并别名 @0x00000000），Flash Bank1 映射到 0x08040000（并别名 0x00040000）

返回值:

无

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第 622 行。

HAL_StatusTypeDef HAL_SYSCFG_EnableVREFBUF ( void )

启用内部电压参考缓冲器 (VREFBUF)。

返回值:

HAL_OK / HAL_TIMEOUT

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第 697 行。

引用 HAL_GetTick() 和 VREFBUF_TIMEOUT_VALUE。

void HAL_SYSCFG_VREFBUF_HighImpedanceConfig ( uint32_t Mode )

配置内部电压参考缓冲器的高阻抗模式。

参数:

Mode,:

指定高阻抗模式。该参数可以是以下值之一：

SYSCFG_VREFBUF_HIGH_IMPEDANCE_DISABLE：VREF+ 引脚内部连接到 VREFINT 输出。
SYSCFG_VREFBUF_HIGH_IMPEDANCE_ENABLE：VREF+ 引脚为高阻抗。

返回值:

无

定义在文件 stm32g4xx_hal.c 的第